Nittobo的T-glass供应吃紧，AI数据中心瓶颈卡在上游

讨论AI加速器供应时，多数人首先想到GPU和晶圆厂。承载这些芯片的封装底层材料却鲜少被提及。Tom's Hardware在3月9日报道称，日本公司Nittobo控制着全球约90%的特种玻纤布T-glass供应，目前需求已超出其产能。

T-glass是一种低CTE玻纤布，用于IC载板的有机芯层，即芯片与印刷电路板之间的互连层。随着封装变得更大、更密集且发热量更高，它负责保持尺寸稳定。E-glass功能类似且成本更低，但主要用于微控制器和较旧的移动处理器。对于大型2.5D和3D封装，也就是先进AI加速器，T-glass是首选。生产这种材料需要专用电熔炉，运行温度在1600到1700摄氏度之间。工艺涉及熔化富硅玻璃、拉丝成纱并织成超薄布，扩大规模需要多年的投资和技术积累。没有人能在一夜之间建起一条新的T-glass产线。

为什么产线无法更快投产

Nittobo正在将其日本福岛工厂的产能扩大三倍，但新增供应要到2027年年中才能进入市场。

市场已经重新定价。据Tom's Hardware报道，价格上涨了20%到30%，覆铜板等下游材料的交期从正常的8到10周延长至20周以上。元大证券分析师Bill Ho表示：“T-glass供应现在更加紧张，供应商已不再提供交期。”

Yole Group分析师Bilal Hachemi长期跟踪IC载板供应链，他对Tom's Hardware Premium表示，替换T-glass并非易事。他指出，T-glass“具有特定的介电常数和CTE值，更适合AI芯片，尤其是有机芯层”。Hachemi还提到该行业利润微薄：“增层材料、ABF材料或T-glass的需求一旦增加，就可能引发短缺，因为这违背了行业的基本逻辑。”

封装越大，用料越多

这轮供应紧张比正常周期更为严峻，关键在于买家是谁。超大规模云厂商订购的芯片封装越来越大，单位T-glass用量随之增加。同一款AI加速器的每一代产品都使用更大的中介层和更复杂的载板，直接导致材料消耗上升。Tom's Hardware引用的英伟达数据显示，Hopper架构的中介层面积为814mm2，Blackwell为1700mm2，增长了109%，即将推出的Rubin和Feynman世代还将进一步扩大。

美国银行估计，Nittobo电子材料部门的销售额将从2025年的409亿日元（约合2.66亿美元）增长至2028年3月的877亿日元，几乎翻倍，营业利润率接近48%。美国银行研究分析师Takashi Enomoto说：“T-glass布的需求增长可能超过预期。此前关注点主要在GPU和CPU半封装用厚T-glass的需求增长，但随着尖端器件从E-glass转向超薄T-glass，超薄T-glass的需求也可能上升。”

配额争夺战已经打响。Hachemi称，英伟达直接联系上游材料供应商是前所未有的。他说：“我们首次看到英伟达作为终端客户，主动接触上游材料供应商以确保产能，保证能拿到货。”

Nittobo将织布外包给竞争对手

公司并未坐以待毙。除了福岛扩产，Nittobo还在将台湾工厂的原丝产能翻倍，并将纱线运回日本织布。此外，它与南亚塑胶达成合作，将部分织造业务外包。

这笔交易本身表明市场有多紧张：Nittobo正与主要竞争对手之一合作以缓解瓶颈。根据公司披露，到2027年，Nittobo约20%的玻纤布预计将由南亚塑胶织造。

与此同时，加速器管线的其他环节按各自节奏推进。在Hot Chips 2026上，d-Matrix展示了面向生成式推理的Raptor 3D-DRAM加速器，采用36微米面对面堆叠技术，将台积电N4逻辑裸片叠在3D DRAM裸片之上。公司表示，72张卡的scale-up集群可承载Kimi K3等前沿模型，支持1M上下文长度，单卡容量32GB，采用4位权重和8位KV缓存。

微软在同一会议上详细介绍了第二代Maia 200加速器。这是一颗3nm芯片，拥有1400亿晶体管，配备6堆HBM3e，HBM带宽达7TB/s，TDP为750瓦，FP4性能为1万TFLOPS。微软称，该芯片在128个机架、6000颗芯片的规模下使用全scale-up组网，并配有定制网卡和互连协议。

这些是针对同一问题的不同解决方案：推理在解码阶段受内存限制，因此每瓦带宽与原始算力同样重要。当前的约束在于所有这一切之下的封装材料。Nittobo的新产能要到2027年年中才能落地，在此之前，买家只能争抢由一家公司基本掌控的供应。